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STPS30H100CT

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STPS30H100CT. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 250A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. VRRM: 100V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Tensão direta Vf (min): 0.64V. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
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Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode
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