Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

SUF4003

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SUF4003. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condicionamento: rolo. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 23:25.

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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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