Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STTH2R06

STTH2R06
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STTH2R06. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data de produção: 201506. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 40A. RM (máx.): 12uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS
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