Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BYV28-600

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BYV28-600. Corrente direta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.93V. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 08:25.

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Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1V
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