Diodos padrão e retificadores

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 110A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..200uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.15V. Tensão direta Vf (min): 1.15V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Cj: 80pF. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação da rede elétrica de 50/60 Hz. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 180A. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: S5M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). Temperatura operacional: -50...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): soldagem PCB. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Nota: Diodo retificador Schottky. Nota: IFSM--50Ap/10mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Nota: Diodo retificador Schottky. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 275A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Cj: 175pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.001mA. Marcação na caixa: SB3200. Equivalentes: Vishay--VSB3200. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.68V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): Diodo retificador Schottky. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 5A. Ism [A]: 310A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.6mA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.79V @ 5A

Cj: 150pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. RM (máx.): 50mA. RM (min): 8uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.92V. Tensão direta Vf (min): 0.92V. VRRM: 150V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 125Ap

Cj: 120pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. RM (máx.): 0.5mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.67V. VRRM: 50V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Corrente direta [A]: 2x10A. Ism [A]: 110A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 300uA..7mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.85V @ 10A

Cj: 700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 275A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: SMPS DIODE. Nota: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Unidade de condicionamento: 30. Nota: diodo duplo de silício. Spec info: Diodo retificador Schottky

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.3mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: P-600. Habitação (conforme ficha técnica): P600 ( 8x7.5mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.42V. Tensão direta Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz

Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: SUPER FAST RECTIFIER. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: GI, S. Quantidade por caixa: 1

Cj: 30pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: SUPER FAST RECTIFIER. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: SUPER FAST RECTIFIER. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: SUPER FAST RECTIFIER. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 300V