Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 2mA. RM (min): 250uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Função: Diodo Ultrarrápido

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 325A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Recovery Diode. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: pinout--1

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.48V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: Ifsm 150A/10ms. Unidade de condicionamento: 50. Nota: diodo duplo de silício

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.8us. Material semicondutor: silício. Função: diodos retificadores de uso geral. Nota: impressão de tela/código SMD 1M. Nota: caixa 4,6x2,7mm. Marcação na caixa: 1 M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 2A. Ism [A]: 55A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 110A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..200uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.15V. Tensão direta Vf (min): 1.15V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 180A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação da rede elétrica de 50/60 Hz. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: S5M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): soldagem PCB. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Número de terminais: 2. Nota: Diodo retificador Schottky. Nota: IFSM--50Ap/10mS

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Número de terminais: 2. Nota: Diodo retificador Schottky. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 275A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.001mA. Marcação na caixa: SB3200. Equivalentes: Vishay--VSB3200. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.68V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): Diodo retificador Schottky. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 5A. Ism [A]: 310A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.6mA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.79V @ 5A