Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Nota: GI, S. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm

Corrente direta (AV): 2A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm

Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: 125A/PP. Nota: GI, S

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: 125App/8.3ms. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Nota: Samsung--0402-000266. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast Diode. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--200Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Marcação na caixa: RHR30120. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifier. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo retificador de recuperação ultrarrápida. Passo: 8x6.5mm. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Ultrarrápido. RM (máx.): 2mA. RM (min): 250uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Ifsm 150A/10ms. Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.48V

VRRM: 100V. Corrente Média Retificada por Diodo: 1A. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: <50uA / 100V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Série: S1