Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RGP15J. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 600V
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Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 600V
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Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)
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Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)
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