Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RGP20D

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RGP20D. Corrente direta (AV): 2A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. Produto original do fabricante General Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 17:25.

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BYV28-200
Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Sinterglass Avalanche Rápido . Data de produção: 201412. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: BYV28-200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V
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Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Sinterglass Avalanche Rápido . Data de produção: 201412. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: BYV28-200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V
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