Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYV26C. Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: IFSM--35App
MUR160
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: IFSM--35App
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Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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