Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RURG80100

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RURG80100. Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 2mA. RM (min): 250uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Função: Diodo Ultrarrápido. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 04:25.

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Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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