Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
Semicondutores Diodos
Diodos padrão e retificadores

Diodos padrão e retificadores

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MUR6060

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Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 550A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MUR6060
Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 550A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. Marcação na caixa: MUR 6060. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida
MUR6060
Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 550A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. Marcação na caixa: MUR 6060. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida
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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...
MUR8100
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Marcação na caixa: U8100E. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido
MUR8100
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Marcação na caixa: U8100E. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido
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MUR820

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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...
MUR820
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Marcação na caixa: U820. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido
MUR820
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Marcação na caixa: U820. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido
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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...
MUR860
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MUR860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: diodo retificador ultra rápido
MUR860
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MUR860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: diodo retificador ultra rápido
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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...
MUR860G
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: U860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: diodo retificador ultra rápido
MUR860G
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: U860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: diodo retificador ultra rápido
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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...
MUR880
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Marcação na caixa: U880E. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido
MUR880
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Marcação na caixa: U880E. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO...
MURS120T3G
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: U1D. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1D
MURS120T3G
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: U1D. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1D
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MURS160T3G

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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO...
MURS160T3G
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1J
MURS160T3G
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1J
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MURS320T3G

MURS320T3G

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO...
MURS320T3G
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U3D
MURS320T3G
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U3D
Conjunto de 1
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MURS360

MURS360

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO...
MURS360
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. Número de terminais: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J
MURS360
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. Número de terminais: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J
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0.89€ IVA incl.
(0.72€ sem IVA)
0.89€
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB D...
MURS360B
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. Número de terminais: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J
MURS360B
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. Número de terminais: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J
Conjunto de 1
0.62€ IVA incl.
(0.50€ sem IVA)
0.62€
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P1000M

P1000M

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8...
P1000M
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P1000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
P1000M
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P1000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
Conjunto de 1
1.09€ IVA incl.
(0.89€ sem IVA)
1.09€
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P2000M

P2000M

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 500A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8...
P2000M
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 500A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P2000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)
P2000M
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 500A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P2000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)
Conjunto de 1
1.48€ IVA incl.
(1.20€ sem IVA)
1.48€
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P600K

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9x...
P600K
Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A08. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)
P600K
Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A08. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)
Conjunto de 1
0.32€ IVA incl.
(0.26€ sem IVA)
0.32€
Quantidade em estoque : 4749
P600M

P600M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8x...
P600M
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8x7.5mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 6A. Ism [A]: 450A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 5A. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
P600M
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8x7.5mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 6A. Ism [A]: 450A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 5A. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
Conjunto de 1
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P600S

P600S

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x...
P600S
Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A12. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)
P600S
Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A12. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)
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PMEG6010CEJ

PMEG6010CEJ

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 10A. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-3...
PMEG6010CEJ
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 10A. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador Schottky (série Mega). Marcação na caixa: EQ. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.66V. Tensão direta Vf (min): 0.21V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
PMEG6010CEJ
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 10A. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador Schottky (série Mega). Marcação na caixa: EQ. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.66V. Tensão direta Vf (min): 0.21V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
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PR1504

PR1504

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41...
PR1504
Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS
PR1504
Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS
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PS1010RS

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Habitação (conforme ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). Estrutura dielétr...
PS1010RS
IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Habitação (conforme ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
PS1010RS
IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Habitação (conforme ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
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R2KY

R2KY

Nota: DAEWOO TV...
R2KY
Nota: DAEWOO TV
R2KY
Nota: DAEWOO TV
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R2M

R2M

Nota: SONY TV...
R2M
Nota: SONY TV
R2M
Nota: SONY TV
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RF2001T3D

RF2001T3D

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO...
RF2001T3D
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 10uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Função: Comutação rápida, diodo de recuperação rápida. Spec info: IFMS 100Ap
RF2001T3D
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 10uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Função: Comutação rápida, diodo de recuperação rápida. Spec info: IFMS 100Ap
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RFU20TM5S

RFU20TM5S

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO...
RFU20TM5S
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer
RFU20TM5S
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer
Conjunto de 1
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RG2Y

RG2Y

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): D2A (...
RG2Y
Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Peso: 0.6g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap
RG2Y
Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Peso: 0.6g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap
Conjunto de 1
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1.02€
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RG4A

RG4A

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 (...
RG4A
Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 2V
RG4A
Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 2V
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