Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A08. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8x7.5mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 6A. Ism [A]: 450A. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 5A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A12. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 10A. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador Schottky (série Mega). Marcação na caixa: EQ. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.66V. Tensão direta Vf (min): 0.21V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Nota: DAEWOO TV

Nota: SONY TV

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida, diodo de recuperação rápida. RM (máx.): 10uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: IFMS 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.65V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFMS 50Ap. Peso: 0.6g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 2V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 3V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Nota: GI, S. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Nota: GI, S. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 50App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm

Corrente direta (AV): 2A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm

Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: 125A/PP. Nota: GI, S

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S. Nota: 125App/8.3ms. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB