Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B36. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V

Corrente direta (AV): 75A. IFSM: 1200A. Carcaça: TO-240. Habitação (conforme ficha técnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: módulo de diodo, Diodo Epitaxial de Recuperação Rápida (FRED) . Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensões 92x20,8x30mm. Nota: Módulo de 2 diodos. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: isolamento 3600V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.58V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Pinagem: Parafusos M6 (x3). Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 220 ns. Material semicondutor: silício. Função: Módulo de diodo de rede, alta corrente. Número de terminais: 3. Dimensões: 94x34x30mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1100W. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Isolamento elétrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnologia: diodo de cátodo comum duplo (HiPerFREDTM). Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafia/código SMD D6. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Marcação na caixa: D6. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Nota: diâmetro 8 mm x 7,5 mm . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalentes: MUR1100ERLG. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. RM (máx.): 5uA. RM (min): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de recuperação ultrarrápida. Nota: diodo ultra-rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 1.9V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--35App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. RM (máx.): 250uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcação na caixa: MUR4100E. Equivalentes: MUR4100ERLG. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.53V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcação na caixa: MUR420. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.89V. Tensão direta Vf (min): 0.71V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: MUR460. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.28V. Tensão direta Vf (min): 1.05V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (máx.): 900uA. RM (min): 25uA. Marcação na caixa: MUR480E. Equivalentes: MUR480ERLG. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.53V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 550A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida. Marcação na caixa: MUR 6060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Nota: diodo retificador ultrarrápido. Marcação na caixa: U8100E. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Nota: diodo retificador ultrarrápido. Marcação na caixa: U820. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V

VRRM: 600V. Carcaça: TO-220AC. Corrente Média Retificada por Diodo: 8A. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.5V / 8A. Tipo de montagem: THT. Corrente de fuga reversa: <500uA / 600V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 60ns. Série: MUR860

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: U860. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: diodo retificador ultra rápido. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Nota: diodo retificador ultrarrápido. Marcação na caixa: U880E. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V