Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 60mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.72V. Tensão direta Vf (min): 0.6V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 60mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B3100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.69V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B340. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B360. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.08V. Tensão direta Vf (min): 0.6V

Corrente direta (AV): 40A. IFSM: 80A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Schottky de modo de comutação, retificador de potência. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.97V. Tensão direta Vf (min): 0.71V

Corrente direta (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Material dielétrico: cátodo comum . Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.7V

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Corrente direta [A]: 2 X 3A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Ism [A]: 75A. Tensão direta Vfmax (V): 0.7V @ 3A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 50V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.1mA..15mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 75A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): Dpak-3. VRRM: 35V. Função: Energia de alta tensão Schottky . RM (máx.): 35mA. RM (min): 1.4mA. Marcação na caixa: 853LG. RoHS: sim. Diodo Schottky?: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.51V. Tensão direta Vf (min): 0.41V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: diodo duplo de silício. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AA. VRRM: 40V. Material semicondutor: Sb. Nota: Vf 0.6V/1A. Nota: serigrafia/código SMD B14L. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcação na caixa: B19. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD B19. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 130A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B310. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 5mA. RM (min): 1mA. Marcação na caixa: B320. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.84V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B33. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B34. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.525V. Tensão direta Vf (min): 0.525V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B36. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V

Corrente direta (AV): 75A. IFSM: 1200A. Carcaça: TO-240. Habitação (conforme ficha técnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: módulo de diodo, Diodo Epitaxial de Recuperação Rápida (FRED) . Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensões 92x20,8x30mm. Nota: Módulo de 2 diodos. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: isolamento 3600V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.58V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Pinagem: Parafusos M6 (x3). Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 220 ns. Material semicondutor: silício. Função: Módulo de diodo de rede, alta corrente. Número de terminais: 3. Dimensões: 94x34x30mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1100W. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Isolamento elétrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnologia: diodo de cátodo comum duplo (HiPerFREDTM). Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafia/código SMD D6. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Marcação na caixa: D6. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Nota: diâmetro 8 mm x 7,5 mm . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB