Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm--60Aps. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 60A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 18 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcação na caixa: HFA08TB60. Equivalentes: 39.2k Ohms. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Spec info: IFRM 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 50A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 400uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: HFA15TB60. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 225A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 600uA. RM (min): 1.5uA. Equivalentes: VS-HFA25TB60-M3. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--225Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 19 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 6A. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: D30. Nota: M4 Thread. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO214AC (SMA). VRRM: 40V. Corrente Média Retificada por Diodo: 3A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.51V / 3A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 50uA / 40V. Informação: 3rd Gen. Série: L217

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+175°C

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de comutação de alta velocidade. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.62V

Carcaça: miniMELF. VRRM: 75V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Tipo de diodo: Switching. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): 1V / 100mA. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 5uA / 75V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Série: LL4448

Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG

Corrente direta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo duplo de silício

Carcaça: SOD123. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.5A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): 0.43V / 0.5A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 130uA / 30V. Série: MBRB

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo retificador Schottky. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Material semicondutor: Sb. Nota: B1045. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B1060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Nota: 15A/150App. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Equivalentes: MBR1645G. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App / 8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.63V

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.63V. Tensão direta Vf (min): 0.57V

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Nota: Retificadores de Barreira . RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V