Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B1060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.7V

Corrente direta (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: diodo para comutação de fonte de alimentação, duplo, Schottky. RM (máx.): 15mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.57V. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1mA..50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Nota: 15A/150App. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Equivalentes: MBR1645G. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.63V. Spec info: Ifsm 150App / 8.3ms

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.63V. Tensão direta Vf (min): 0.57V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Nota: Retificadores de Barreira . RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 20mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 20A/150App. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220-3. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.05mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total)

Corrente direta (AV): 10A/diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 150App

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Nota: 20A/150App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 60mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.72V. Tensão direta Vf (min): 0.6V. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 60mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B3100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.69V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B340. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B360. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.08V. Tensão direta Vf (min): 0.6V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz

Corrente direta (AV): 40A. IFSM: 80A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Schottky de modo de comutação, retificador de potência. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.97V. Tensão direta Vf (min): 0.71V

Corrente direta (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Material dielétrico: cátodo comum . Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.7V

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Corrente direta [A]: 2 X 3A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Ism [A]: 75A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 50V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.1mA..15mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.7V @ 3A

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 75A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): Dpak-3. VRRM: 35V. Função: Energia de alta tensão Schottky . RM (máx.): 35mA. RM (min): 1.4mA. Marcação na caixa: 853LG. RoHS: sim. Diodo Schottky?: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.51V. Tensão direta Vf (min): 0.41V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Nota: diodo duplo de silício. Spec info: Ifsm 150Ap