Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MBRS360T3G

MBRS360T3G
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1 - 9 0.60€ 0.74€
10 - 24 0.57€ 0.70€
25 - 49 0.54€ 0.66€
50 - 99 0.51€ 0.63€
100 - 249 0.47€ 0.58€
250 - 499 0.46€ 0.57€
500 - 1168 0.44€ 0.54€
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MBRS360T3G. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Marcação na caixa: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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Produtos equivalentes :

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SS36-E3

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Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente ...
SS36-E3
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 10mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS36-E3
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 10mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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MBRS3100T3G

MBRS3100T3G

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função:...
MBRS3100T3G
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 130A. Marcação na caixa: B310. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS3100T3G
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 130A. Marcação na caixa: B310. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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