Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

MUR15120L

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MUR15120L. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 110A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 1.9V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Função: Diodo de recuperação ultrarrápida. Nota: diodo ultra-rápido. Spec info: Ifsm 110Ap. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast Diode. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap
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Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast Diode. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap
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