RL4Z

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RL4Z. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Passo: 8x6.5mm. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Nota: Diodo retificador de recuperação ultrarrápida. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.