RH2F

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RH2F. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 60A. Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1500V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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