Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SF68G

SF68G
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SF68G. Cj: 80pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (9.1x9.1mm). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 200uA. ...
HER608
Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
HER608
Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
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