Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FR607

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FR607. Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 200uA. ...
HER608
Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
HER608
Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
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