Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RGP10G

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RGP10G. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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