Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RGP10G

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10 - 24 0.61€ 0.75€
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RGP10G. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 07:25.

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UF4007

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Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V...
UF4007
Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Ism [A]: 33A. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
UF4007
Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Ism [A]: 33A. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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RGP10J

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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204...
RGP10J
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Nota: GI, S. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
RGP10J
Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de comutação rápida. Nota: GI, S. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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