Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MURS320T3G

MURS320T3G
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1 - 9 0.59€ 0.73€
10 - 24 0.56€ 0.69€
25 - 49 0.53€ 0.65€
50 - 99 0.50€ 0.62€
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MURS320T3G. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U3D. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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MBRS360T3G

MBRS360T3G

RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb...
MBRS360T3G
RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Marcação na caixa: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS360T3G
RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Marcação na caixa: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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SS34-E3-57T

SS34-E3-57T

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente ...
SS34-E3-57T
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS34-E3-57T
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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