Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MBR360

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MBR360. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B360. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.08V. Tensão direta Vf (min): 0.6V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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SB360

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Carcaça: DO-201. VRRM: 60V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Habitação (conforme ficha técn...
SB360
Carcaça: DO-201. VRRM: 60V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V
SB360
Carcaça: DO-201. VRRM: 60V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V
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SR306
Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B3100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.69V
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Marcação na caixa: B3100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.79V. Tensão direta Vf (min): 0.69V
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