Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BY550-400

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BY550-400. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifiers. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifiers. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS
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