Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N5956B

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1N5956B. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 4.8x2.5mm ). Tensão Zener: 200V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Classificação ESD de Classe 3 (>16kV) por modelo de corpo humano. RM (máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+200°C. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 21:25.

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Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): 5W. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 200V. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 5W (75°C), 5%, série 1N53
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