Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.31€ | 0.38€ |
10 - 24 | 0.29€ | 0.36€ |
25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
50 - 99 | 0.20€ | 0.25€ |
100 - 249 | 0.19€ | 0.23€ |
250 - 356 | 0.19€ | 0.23€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 9 | 0.31€ | 0.38€ |
10 - 24 | 0.29€ | 0.36€ |
25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
50 - 99 | 0.20€ | 0.25€ |
100 - 249 | 0.19€ | 0.23€ |
250 - 356 | 0.19€ | 0.23€ |
1N5383B. Material dielétrico: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 150V. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Número de terminais: 2. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.
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