Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

FR103

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FR103. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Produto original do fabricante Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 12:25.

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RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 1A. Ism [A]: 33A. Tensão direta Vfmax (V): 1.2V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 200 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 1A. Ism [A]: 33A. Tensão direta Vfmax (V): 1.2V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 200 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V
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