Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4935

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1N4935. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Spec info: 30App/8.3ms. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Spec info: 30App/8.3ms
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