Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103

Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103. Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. Função: 2xN-CH 50V. Proteção GS: NINCS. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 08:25.