Diodos padrão e retificadores

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . Corrente direta (AV): 70A. IFSM: 500A. RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Tensão direta Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Tensão direta Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Unidade de condicionamento: 10. Número de terminais: 2. Configuração: caixa isolada, sem perfuração. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: silício. Função: Standard Rectifier. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.16V. VRRM: 1600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: perna central (cátodo D1, ânodo D2, em série)

Diodo Trr (mín.): 75 ns. Diversos: Diodo amortecedor de alta tensão. Material semicondutor: silício. Função: CRT Horizontal Deflection. Corrente direta (AV): 6A. Corrente direta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Número de terminais: 2

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo amortecedor de alta tensão

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 75A. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1500V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Nota: 30Ap/8.3ms. Nota: Retificadores de alta eficiência

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V

Cj: 100pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Diode. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Nota: Gl, S. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap

Cj: 15pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 300uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB / DO214AA. Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 300uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC / DO214AB. Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.5A. VRRM: 800V

Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79. VRRM: 400V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Nota: GI, S. VRRM: 200V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15. VRRM: 1500V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Nota: 30App/8,3ms, marcação ES1G SMD. Número de terminais: 2. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Nota: Diodo retificador de montagem em superfície super rápido

Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 30A. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Nota: diodo duplo de silício

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 0.15us. Material semicondutor: silício. Função: Retificador de baixa perda e super alta velocidade. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 80A. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcação na caixa: CO23M-15 (C023M-15). Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 200V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.8A. Nota: GI, S. VRRM: 600V