Diodos padrão e retificadores

Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: silício. Função: Standard Rectifier. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: perna central (cátodo D1, ânodo D2, em série). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.16V

Corrente direta (AV): 6A. Corrente direta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Diversos: Diodo amortecedor de alta tensão. Material semicondutor: silício. Função: CRT Horizontal Deflection. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 15A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo amortecedor de alta tensão. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores de alta eficiência. Nota: 30Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Diode. Nota: Gl, S. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 300uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 300uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício

VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S

Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo retificador de montagem em superfície super rápido. Nota: 30App/8,3ms, marcação ES1G SMD. Número de terminais: 2

Corrente direta (AV): 30A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 80A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 0.15us. Material semicondutor: silício. Função: Retificador de baixa perda e super alta velocidade. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcação na caixa: CO23M-15 (C023M-15). Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 200V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: GI, S

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo duplo de recuperação rápida. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: 30Ap/8.3ms