Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 37A. IFSM: 375A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente direta (AV): 37A. IFSM: 375A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente direta (AV): 28A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Tensão direta Vf (min): 2.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente direta (AV): 52A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Tensão direta Vf (min): 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Dobro: sim. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. RM (máx.): 100uA. RM (min): 50uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial (FRED) . Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 90A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . RM (máx.): 0.5mA. RM (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.75V. Tensão direta Vf (min): 1.79V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corrente direta (AV): 70A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Tensão direta Vf (min): 1.74V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Tensão direta Vf (min): 1.74V. Unidade de condicionamento: 10. Número de terminais: 2. Configuração: caixa isolada, sem perfuração. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: silício. Função: Standard Rectifier. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.16V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: perna central (cátodo D1, ânodo D2, em série)

Corrente direta (AV): 6A. Corrente direta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Diversos: Diodo amortecedor de alta tensão. Material semicondutor: silício. Função: CRT Horizontal Deflection. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2

Corrente direta (AV): 15A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo amortecedor de alta tensão

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Material semicondutor: silício. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Corrente direta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: 30Ap/8.3ms. Nota: Retificadores de alta eficiência

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Diode. Nota: Gl, S. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 300uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 300uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício

VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79