Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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DSEI2X101-06A

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DSEI2X101-06A. Corrente direta (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de recuperação rápida. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.17V. Produto original do fabricante IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 12:25.

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Corrente direta (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Nota: diodo epitaxial, alta corrente. Nota: 900App/10ms, 45°C. RM (máx.): 15mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Prazo de entrega: KB. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.87V. Tensão direta Vf (min): 1.61V
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