Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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EGP20D

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EGP20D. Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Produto original do fabricante Ge (tungsram). Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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