Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 0.6A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Material semicondutor: silício. Nota: Ifsm--4A/1uS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Diodo de comutação de pequenos sinais

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/código SMD A1s. RM (máx.): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcação na caixa: A1s. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Carcaça: SOT-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sim. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia / código SMD A1 . RM (máx.): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcação na caixa: A1. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms

Corrente direta (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 155A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 20mA. RM (min): 5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.83V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, condutores axiais. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. RM (máx.): 25uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Dimensões: 7.3x22mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 10V

Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Quantidade por caixa: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 2uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Corrente direta (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Material semicondutor: silício. Nota: GR

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Função: montagem do dissipador de calor. Nota: 4.2x4.3mm. RM (máx.): 140uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: 97053100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Nota: 4.2x4.3mm. RM (máx.): 140uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifms 70Ap

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sim. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifms 70Ap

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 140uA. RM (min): 3uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 4A. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 12A. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (caixa de plástico). Nota: 48...82kHz

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 10uA. RM (min): uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50°C...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS