Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 20mA. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323. VRRM: 40V. Material semicondutor: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 200nA. Marcação na caixa: BAT83S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sim. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Passo: 1.6x3.9mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 330mV

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Nota: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 5uA. Marcação na caixa: BTA86S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. Dimensões: 3.9x1.6mm. RoHS: sim. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV

Carcaça: miniMELF. VRRM: 4.87k Ohms. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Tipo de diodo: Switching. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 100nA / 300V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 50ns. Série: BAV

Carcaça: SOT23. VRRM: 100V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.125A. Tipo de diodo: Switching. Tensão direta (máx.): <1.25V / 0.15A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 500nA / 80V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Série: BAV

Corrente direta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de comutação de pequenos sinais, alta tensão. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 0.6us. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de baixo vazamento. Data de produção: 2014/49. RM (máx.): 80nA. RM (min): 5nA. Marcação na caixa: JYs. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Carcaça: SOT23. VRRM: 70V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.15A. Tipo de diodo: Switching. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.05A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 30nA / 25V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Série: BAW

Corrente direta (AV): 0.6A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo de comutação de pequenos sinais. Nota: Ifsm--4A/1uS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Carcaça: SOT-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sim. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia / código SMD A1 . RM (máx.): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcação na caixa: A1. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V

Corrente direta (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 155A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, condutores axiais. RM (máx.): 20mA. RM (min): 5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.83V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. RM (máx.): 25uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Dimensões: 7.3x22mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 10V

Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Habitação (conforme ficha técnica): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Corrente direta (AV): 0.3A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 15V. Cj: 1pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. RM (máx.): 25uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Dimensões: 7.3x22mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Quantidade por caixa: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 2uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V

Corrente direta (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Material semicondutor: silício. Nota: GR

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Função: montagem do dissipador de calor. Nota: 4.2x4.3mm. RM (máx.): 140uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: 97053100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V