Diodos padrão e retificadores

Nota: Diodo Varicap

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 155A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.83V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, condutores axiais. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Cj: 1.8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. RM (máx.): 25uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Dimensões: 7.3x22mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 7.3x22mm. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 10V. VRRM: 12000V

RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 50V

Quantidade por caixa: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. RM (máx.): 2uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.75A. VRRM: 600V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. Nota: GR. VRRM: 650V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Função: montagem do dissipador de calor. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Nota: 4.2x4.3mm. RM (máx.): 140uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: 97053100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Nota: 4.2x4.3mm. RM (máx.): 140uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifms 70Ap

RoHS: sim. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: Ifms 70Ap

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 30A. RM (máx.): 140uA. RM (min): 3uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 4A. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57. VRRM: 1200V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 12A. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (caixa de plástico). VRRM: 1500V. Nota: 48...82kHz

Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50°C...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifiers. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (máx.): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2.3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms