BAV199

BAV199. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 0.6us. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de baixo vazamento. Data de produção: 2014/49. RM (máx.): 80nA. RM (min): 5nA. Marcação na caixa: JYs. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 13:25.