Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de alta velocidade. Data de produção: 2014/22. Marcação na caixa: A6. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 0.5uA. RM (min): 1nA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1V

Corrente direta (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOD-523. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: .W. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: 45. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: 46. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: independente. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: 47 s. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.5us. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de baixo vazamento. Nota: baixa corrente reversa. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

VRRM: 70V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.07A. Tipo de diodo: escocês. Tensão direta (máx.): <1V / 0.015A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 100nA / 50V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 5ns. Série: BAS

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodos de barreira Schottky de comutação rápida de vidro. RM (máx.): 2uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V

VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Carcaça: 10pF. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.80V / 0.1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 2uA / 25V. Série: BAS. Tempo de recuperação reversa (máx.): 2uA. Informação: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: sim. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V

Corrente direta (AV): 30mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Dobro: NINCS. Material semicondutor: Sb. Função: Aplicações de mixagem na faixa VHF/UHF. Nota: serigrafia/código SMD 53s. RM (máx.): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcação na caixa: 53s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.2V

Corrente direta (AV): 130mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: Sb. Função: Aplicações de mixagem na faixa VHF/UHF. Nota: serigrafia/código SMD 54s. RM (máx.): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcação na caixa: 54s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.2V

Corrente direta (AV): 30mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: Aplicações de mixagem na faixa VHF/UHF. Nota: serigrafia/código SMD 55s. RM (máx.): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcação na caixa: 55s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.2V

Corrente direta (AV): 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo de comutação de banda VHF/UHF. Marcação na caixa: A2. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.2V

Corrente direta (AV): 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: Sb. Função: Diodo de comutação de banda VHF/UHF 10MHz. Marcação na caixa: AUs. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 120ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. RoHS: sim. Tensão direta Vf (min): 0.4V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 20uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Spec info: 750mAp t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.45V

Carcaça: DO35. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1V / 0.2A. Tipo de montagem: THT. Corrente de fuga reversa: 0.5uA / 25V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 5ns. Série: BAT4. MSL: n/a

Carcaça: DO35. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.33V / 2mA. Tipo de montagem: THT. Corrente de fuga reversa: 0.5uA / 25V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 5ns. Série: BAT4. MSL: n/a

VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Cj: 6pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.25V

Corrente direta (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 10 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. RM (máx.): 2uA. Marcação na caixa: L4. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 2uA. Marcação na caixa: L42 ou V3. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 2uA. Marcação na caixa: L43 ou W1. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323. Corrente direta [A]: 0.3A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky de silício. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Ism [A]: 1A. Tensão direta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA..100uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. RoHS: sim. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 2uA. Marcação na caixa: L44 ou V4. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV