Diodos padrão e retificadores

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: Aplicações de mixagem na faixa VHF/UHF. Corrente direta (AV): 30mA. RM (máx.): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcação na caixa: 55s. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.2V. VRRM: 4 v. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia/código SMD 55s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo de comutação de banda VHF/UHF. Corrente direta (AV): 0.1A. Marcação na caixa: A2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. VRRM: 35V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm

Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: Sb. Função: Diodo de comutação de banda VHF/UHF 10MHz. Corrente direta (AV): 0.1A. Marcação na caixa: AUs. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 120ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 35V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm

Cj: 7pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 0.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.65V. Tensão direta Vf (min): 0.4V. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms)

RoHS: sim. Cj: 6pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-35. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.25V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms

RoHS: sim. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 10 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Corrente direta (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms

Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. RM (máx.): 2uA. Marcação na caixa: L43 ou W1. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.3A. Ism [A]: 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1uA..100uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

RoHS: sim. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.4V @ 10mA. Marcação na caixa: L44 ou V4. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 20mA. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323. VRRM: 40V

Cj: 1.6pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. RM (máx.): 200nA. Marcação na caixa: BAT83S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sim. Passo: 1.6x3.9mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 330mV. VRRM: 60V. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky de pequeno sinal. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-34. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.2A. Ism [A]: 5A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 2uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

RoHS: sim. Cj: 10pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (máx.): 2uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: BAT85S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. Passo: 1.6x3.9mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Cj: 8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Nota: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms

Cj: 8pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (máx.): 5uA. Marcação na caixa: BTA86S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. Dimensões: 3.9x1.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 250V. Função: Diodos de comutação de pequenos sinais, alta tensão

Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 60V

Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C

Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 250V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.6A. Nota: Ifsm--4A/1uS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Nota: Diodo de comutação de pequenos sinais

RoHS: sim. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra High Speed Switching. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Nota: serigrafia / código SMD A1 . RM (máx.): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcação na caixa: A1. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOT323. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. VRRM: 85V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.115A. VRRM: 25V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.115A. VRRM: 35V

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de capacitância variável VHF. Corrente direta (AV): 20mA. RM (máx.): 200nA. RM (min): 10nA. Capacitância: 0.7pF. RoHS: sim. Banda de frequência: VHF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323 ( 1.8x1.35mm ). Temperatura operacional: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Nota: Diodo Varicap. Quantidade por caixa: 1. Capacitância: 17pF

Nota: Diodo Varicap