Diodos padrão e retificadores

Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Cj: 2pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Detecção VHF/UHF. Corrente direta (AV): 15mA. RM (máx.): 0.2uA. RoHS: sim. Passo: 4.5x2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Número de terminais: 2. Nota: Diodo Schottky. Quantidade por caixa: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Cj: 2pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Detecção VHF/UHF. Corrente direta (AV): 15mA. RM (máx.): 0.2uA. Marcação na caixa: SA. Dimensões: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Número de terminais: 2. Nota: Diodo Schottky. Quantidade por caixa: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Cj: 110pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 25A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 25A. RM (máx.): 1.5mA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: SL. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 450mW. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.32V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Cj: 2.2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Ultrafast switching. Corrente direta (AV): 15mA. IFSM: 50mA. RM (máx.): 0.2uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -60...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.41V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Nota: Trocando diodo Schottky. Nota: f=1MHz 2.2pF. Nota: Detecção VHF/UHF

Cj: 4pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 300mA. IFSM: 4A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: 0...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: Ifsm 10Ap. Nota: Modo de comutação Retificadores de potência

Cj: 2pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 130mA. IFSM: 400mA. RM (máx.): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. VRRM: 80V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Cj: 3pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 100mA. IFSM: 500mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. VRRM: 80V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s)

Cj: 720pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 310A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.25V. Vrms: 45V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: Schottky Barrier Rectifier Diode. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Nota: 920App / 5us. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky

Cj: 340pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 340A. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 15mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.19V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 150V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: IFSM--Max

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 200App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 200App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-Fast Recovery. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 45A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 3JU. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD 8x6mm. Tensão limite Vf (máx.): 2V. VRRM: 600V

Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+160°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)