Diodos padrão e retificadores

VRRM: 400V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. Nota: distância central 15mm. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Carcaça: DO-201. VRRM: 1000V. Corrente Média Retificada por Diodo: 3A. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.0V / 3A. Tipo de montagem: THT. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Série: 1N54

Corrente direta (AV): 15mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Detecção VHF/UHF. Nota: Diodo Schottky. RM (máx.): 0.2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: f=1MHz 2pF. Passo: 4.5x2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.41V

Corrente direta (AV): 15mA. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Detecção VHF/UHF. Nota: Diodo Schottky. RM (máx.): 0.2uA. Marcação na caixa: SA. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: sim. Spec info: f=1MHz 2pF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.41V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 25A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AL ( 5.2x2.7mm ). VRRM: 20V. Cj: 110pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.45V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 25A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 25A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 1.5mA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: SL. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 450mW. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.32V

VRRM: 40V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). RoHS: sim. Cj: 250pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.475V

Corrente direta (AV): 15mA. IFSM: 50mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Ultrafast switching. Nota: Trocando diodo Schottky. Nota: f=1MHz 2.2pF. Nota: Detecção VHF/UHF. RM (máx.): 0.2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -60...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.41V

Corrente direta (AV): 300mA. IFSM: 4A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: 0...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 620mV

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: Modo de comutação Retificadores de potência. Nota: Ifsm 10Ap. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 130mA. IFSM: 400mA. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. RM (máx.): 0.5uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V

Corrente direta (AV): 100mA. IFSM: 500mA. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Cj: 3pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 310A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Schottky Barrier Rectifier Diode. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.25V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC (8,1x6,2x2,6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcação na caixa: 3J. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0,96 V. Tensão direta Vf (min): 0.62V

Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 920App / 5us. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 340A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 150V. Cj: 340pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 15mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--Max. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.19V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 200App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 200App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 45A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-Fast Recovery. RM (máx.): 100uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 3JU. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2V

Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Nota: M6 Thread. RoHS: sim. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montagem/instalação: parafuso

Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Nota: M6 Thread. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V