Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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3JU41

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3JU41. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 3JU. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD 8x6mm. Tensão limite Vf (máx.): 2V. VRRM: 600V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 60.4k Ohms. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 60.4k Ohms. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-Fast Recovery. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 45A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V
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Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-Fast Recovery. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 45A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V
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Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast switching. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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