Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 1.13€ | 1.39€ |
2 - 2 | 1.08€ | 1.33€ |
3 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.12€ |
25 - 28 | 0.79€ | 0.97€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.13€ | 1.39€ |
2 - 2 | 1.08€ | 1.33€ |
3 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.12€ |
25 - 28 | 0.79€ | 0.97€ |
1N5406H. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: distância central 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.
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