Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Nota: M6 Thread. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montagem/instalação: Fixação roscada. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Nota: M6 Thread. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: SILICON DIFFUSED TYPE. Nota: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Nota: trr 0.6us

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 800A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. Marcação na caixa: 60APU02. Equivalentes: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.08V. Tensão direta Vf (min): 0.98V

Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 250A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 100uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A10. Equivalentes: 6A100G-R0G. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Nota: M6 Thread. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V

Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Nota: M6 Thread. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montagem/instalação: Fixação roscada. Temperatura operacional: -65...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V

Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Nota: M6 Thread. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V

Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Nota: M6 Thread. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -65...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V

Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 800A. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.92V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, condutores axiais. RM (máx.): 20mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Nota: SAMSUNG. RM (máx.): 5uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: RG2A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFMS 50Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C

Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23L. VRRM: 30 v. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 100mA. RM (min): 500nA. Marcação na caixa: DB1. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.45V. Tensão direta Vf (min): 0.26V

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 6 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de comutação . Nota: serigrafia/código SMD A6s, A6t . RM (máx.): 50uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: A6s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 715mV

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de comutação de alta tensão. Nota: serigrafia/código SMD JS. RM (máx.): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcação na caixa: JS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 0.5uA. RM (min): 1nA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1V

Corrente direta (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOD-523. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: .W. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: 45. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: independente. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Marcação na caixa: 47 s. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.5us. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de baixo vazamento. Nota: baixa corrente reversa. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodos de barreira Schottky de comutação rápida de vidro. RM (máx.): 2uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky para pequenos sinais, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD80. Carcaça (padrão JEDEC): Sb. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.2A. Ism [A]: 0.6A. Tensão direta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v