Diodos padrão e retificadores

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 40A. Corrente direta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (máx.): 9mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+190°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Nota: SILICON DIFFUSED TYPE. Nota: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Nota: trr 0.6us. VRRM: 1500V

Cj: 87pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 800A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. Marcação na caixa: 60APU02. Equivalentes: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC 3L. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.08V. Tensão direta Vf (min): 0.98V. VRRM: 200V. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.2A. Nota: SAMSUNG. VRRM: 400V

Cj: 60pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 250A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A10. Equivalentes: 6A100G-R0G. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms)

Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm)

Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 800A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 8A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 (5.4x7.5mm). Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 50V. Número de terminais: 2. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, condutores axiais. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C

Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Nota: SAMSUNG. RM (máx.): 5uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: RG2A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-204. Habitação (conforme ficha técnica): DO-204AP. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 50Ap

Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. VRRM: 400V. Número de terminais: 2

Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2

Cj: 5pF. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. RM (máx.): 100mA. RM (min): 500nA. Marcação na caixa: DB1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23L. Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.45V. Tensão direta Vf (min): 0.26V. VRRM: 30 v. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Spec info: IFSM--750mA t=10ms

Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 6 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de comutação . Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Nota: serigrafia/código SMD A6s, A6t . RM (máx.): 50uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: A6s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 715mV. VRRM: 75V

Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de comutação de alta tensão. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Nota: serigrafia/código SMD JS. RM (máx.): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcação na caixa: JS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 250V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A

Cj: 3pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. RM (máx.): 0.5uA. RM (min): 1nA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1V. VRRM: 70V. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs

Cj: 4pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Marcação na caixa: .W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-523. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-523. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Cj: 5pF. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Marcação na caixa: 45. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Cj: 5pF. Estrutura dielétrica: independente. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Marcação na caixa: 47 s. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Cj: 4pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.5us. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de baixo vazamento. Corrente direta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Nota: baixa corrente reversa. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 125V. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS

Cj: 10pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodos de barreira Schottky de comutação rápida de vidro. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. RM (máx.): 2uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky para pequenos sinais, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD80. Carcaça (padrão JEDEC): Sb. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.2A. Ism [A]: 0.6A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Material semicondutor: Sb. Função: Aplicações de mixagem na faixa VHF/UHF. Corrente direta (AV): 130mA. RM (máx.): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcação na caixa: 54s. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.2V. VRRM: 4 v. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia/código SMD 54s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF