Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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70HF80

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70HF80. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conect...
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Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)
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Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 70A. Corrente direta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. RM (máx.): 4.5mA. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)
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