Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

6A100G-R0G

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6A100G-R0G. Cj: 60pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 250A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 6A10. Equivalentes: 6A100G-R0G. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8x7.5mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 6A. Ism [A]: 450A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 5A. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
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