BAS21

BAS21. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de comutação de alta tensão. Nota: serigrafia/código SMD JS. RM (máx.): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcação na caixa: JS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. Produto original do fabricante Yangjie Electronic Technology. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 06:25.