80EBU04

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1 - 1	7.41€	9.11€
2 - 2	7.04€	8.66€
3 - 4	6.67€	8.20€
5 - 9	6.30€	7.75€
10 - 13	6.15€	7.56€

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80EBU04. Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 800A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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