Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BAS85-GS08

BAS85-GS08
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10 - 24 0.0747€ 0.0919€
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BAS85-GS08. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky para pequenos sinais, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD80. Carcaça (padrão JEDEC): Sb. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.2A. Ism [A]: 0.6A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 23:25.

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Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodos de barreira Schottky de comutação rápida de vidro. RM (máx.): 2uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms
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