Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BAS85

BAS85
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5 - 9 0.67€ 0.82€
10 - 24 0.64€ 0.79€
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Conjunto de 10

BAS85. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodos de barreira Schottky de comutação rápida de vidro. RM (máx.): 2uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V. Produto original do fabricante Taiwan Semicon. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Carcaça: 10pF. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.80V / 0.1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 2uA / 25V. Série: BAS. Tempo de recuperação reversa (máx.): 2uA. Informação: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: sim. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.8V. Tensão direta Vf (min): 0.24V
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