Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.23€ | 0.28€ |
5 - 9 | 0.22€ | 0.27€ |
10 - 24 | 0.21€ | 0.26€ |
25 - 49 | 0.20€ | 0.25€ |
50 - 99 | 0.19€ | 0.23€ |
100 - 149 | 0.18€ | 0.22€ |
150 - 956 | 0.16€ | 0.20€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.23€ | 0.28€ |
5 - 9 | 0.22€ | 0.27€ |
10 - 24 | 0.21€ | 0.26€ |
25 - 49 | 0.20€ | 0.25€ |
50 - 99 | 0.19€ | 0.23€ |
100 - 149 | 0.18€ | 0.22€ |
150 - 956 | 0.16€ | 0.20€ |
BAS316. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de alta velocidade. Data de produção: 2014/22. Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Marcação na caixa: A6. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. VRRM: 85V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.
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