Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.77€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.74€ |
10 - 24 | 0.57€ | 0.70€ |
25 - 49 | 0.53€ | 0.65€ |
50 - 55 | 0.50€ | 0.62€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.77€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.74€ |
10 - 24 | 0.57€ | 0.70€ |
25 - 49 | 0.53€ | 0.65€ |
50 - 55 | 0.50€ | 0.62€ |
BAS316. Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Carcaça: SOD-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de alta velocidade. Data de produção: 2014/22. Marcação na caixa: A6. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 19:25.
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