Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BAT43

BAT43
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1 - 2 0.40€ 0.49€
3 - 4 0.38€ 0.47€
5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 19 0.34€ 0.42€
20 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 99 0.30€ 0.37€
100 - 1362 0.28€ 0.34€
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1 - 2 0.40€ 0.49€
3 - 4 0.38€ 0.47€
5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 19 0.34€ 0.42€
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Conjunto de 5

BAT43. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky de pequeno sinal. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Carcaça (padrão JEDEC): Sb. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.2A. Ism [A]: 4A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.5uA..100uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.46V. Tensão direta Vf (min): 0.26V. VRRM: 30 v. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.45V @ 15mA. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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BAT42

BAT42

Cj: 7pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. ...
BAT42
Cj: 7pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 0.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.65V. Tensão direta Vf (min): 0.4V. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms)
BAT42
Cj: 7pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 0.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.65V. Tensão direta Vf (min): 0.4V. VRRM: 30 v. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms)
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BAT85S
RoHS: sim. Cj: 10pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (máx.): 2uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: BAT85S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. Passo: 1.6x3.9mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFMS 5Ap/10ms
BAT85S
RoHS: sim. Cj: 10pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (máx.): 2uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: BAT85S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. Passo: 1.6x3.9mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Tensão direta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFMS 5Ap/10ms
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