Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BAV18-TAP

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BAV18-TAP. Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. Produto original do fabricante Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 16:25.

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Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V
BAV21
Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V
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Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V
BAV20
Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V
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