Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BAV18-TAP

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5 - 9 0.44€ 0.54€
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25 - 49 0.40€ 0.49€
50 - 99 0.37€ 0.46€
100 - 149 0.35€ 0.43€
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BAV18-TAP. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 60V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 250V
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Cj: 5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 250V
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Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
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Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de uso geral . Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
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