Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYD33D. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 20Ap f=10ms
BYD33J
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 20Ap f=10ms
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Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2
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