Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYT52M

BYT52M
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BYT52M. Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 02:25.

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Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 3V
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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