Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BYT52M

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BYT52M. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Cj: 80pF. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 125A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Peso: 1.1g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: diodo retificador de alta eficiência. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Cj: 80pF. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 125A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Peso: 1.1g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: diodo retificador de alta eficiência. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
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Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultrarrápido. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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