Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYP35A6

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BYP35A6. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (m...
BYP60A6
Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
BYP60A6
Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
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150EBU04
Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido
150EBU04
Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido
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