Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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150EBU02

150EBU02
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2 - 2 10.94€ 13.46€
3 - 4 10.37€ 12.76€
5 - 9 9.79€ 12.04€
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150EBU02. Cj: 180pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1600A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.13V. Tensão direta Vf (min): 0.99V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido
150EBU04
Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido
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