Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BY500-800

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BY500-800. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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